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韩国媒体《》报道,大韩商工会议与该媒体一同针对韩国、美国、中国、日本、欧盟这五大知识产权局受理的半导体芯片专利申请展开分析,结果显示,中国企业申请的半导体专利数量从最初的14%逐步攀升至71%,而且仍有持续上升的态势。
在中国企业遭受美国封锁之际,展开了全产业链的研发技术工作。在存储器这一领域当中,韩国的三星、SK海力士,日本的东芝以及美国的美光等企业,向来都是业内的领军者。三星凭借着在3D堆叠技术方面先入为主的优势,提出了约2.3万件与之相关的技术专利申请,并且其闪存颗粒的堆叠层数已然达到了280层,从而成为闪存市场在技术方面的先行企业。
然而,中国的长江存储凭借全新自主研发的Xtacking架构,达成了232层闪存颗粒的堆叠,借助晶圆键合技术使读取速度较上一代产品提高了50%有余。
欧洲专利局的全年存储技术专利报告数据显示,长江存储凭借自研架构所提交的专利申请数量达6892件。在这方面,韩国的老牌企业三星、海力士等在新专利群的申请数量上具有非常明显优势,其数量分别为12206件和8743件。
虽然中国企业在闪存专利申请数量方面与韩国企业相比存在颇为显著的差距,不过长江存储这个来自中国的企业,从创立至今还不足10年。凭借10年的技术发展来追赶韩国企业历经数十年取得的成果,中国企业身上所具备的后发制人的优势已得到了验证。
在逻辑芯片这一领域,以前是由美国的企业占据主导地位的,到后来就变成了三星和台积电这两家企业在先进芯片制造方面展开博弈。
美国对中国企业在技术和制造设备方面实施了双重封锁,这使得中国企业在先进芯片技术的发展进程中处于落后的境地。不过,中国企业借助多重图案化和3D封装技术,把晶体管的后道金属互连层增加到17层,并且凭借铜 - 钌复合阻挡层让电阻降低了18%,从而在原本为14nm工艺芯片的基础上,达成了等效于7nm工艺芯片的性能水准。
虽说这些国产技术的7nm芯片,在产能、成本、能效方面并非十分出众,可是在美国进行封锁制裁的背景下推出先进芯片的制造工艺,这已然是超常发挥了。
在中国企业承受着美国的压制推出先进芯片之后,国际技术机构techinsights作出了评价。该机构觉得,中国企业在遭受全面制裁的情况下,运用新技术制造出先进芯片,这一事实已然超出了行业的认知范围,中国企业达成了一个貌似没办法完成的技术项目。
韩国大韩商工会的首席研究员尹正锡同样指出,由于美国与中国企业间的矛盾不断加剧,中国企业面临着前所未有的危机感。而这种危机感,乃是推动中国半导体技术发展的主要的因素。为了尽最大可能避免日后被中美两国的技术甩在身后,韩国方面应前瞻性地思考为本国芯片公司可以提供特殊补贴之事。
产业报告表明,2018年美国开始对中国公司进行初步打压之时,中国半导体产业自主设备的自给率仅有5%。经过了五六年的发展,当前自给率已达25%左右,且这一数值还在不断上升。
围绕北方华创、中微半导体等芯片设备企业,开展自主设备全产业链的协同发展。
由美国半导体协会公布的全球技术报告可知,中国北方华创公司推出的ICP刻蚀机产品,其脉冲射频电源技术能够把等离子体密度稳定在±1.5%的范围以内。并且南大光电的AfF光刻胶产品,能有效地将线nm以下,这与中国国产刻蚀机技术产品是相适配的。
中电科装备集团自行研制的28纳米中束流离子注入机,已被应用于中芯国际的12英寸生产线,稳定流片的晶圆数量达200万片以上。自2015年起,中电科的芯片制造设备就已顺利进入中芯国际90纳米、55纳米、40纳米、28纳米的芯片生产线,并达成量产商用。
其自主研制的200mmCMP化学抛光装置,也已在中芯国际的工厂完成技术验证。中电科推出的CMP设备,在突破10项技术封锁、对50多项技术环节加以改进之后,研发出国内首台具备自主知识产权的化学抛光设备,达成了自主技术的市场化发展。
在中国,半导体产业链于多个技术环节已达成自主化技术的更新换代。世界知识产权组织的多个方面数据显示,在芯片领域,中国企业的PCT申请数量所占比例达38%,高价值专利占比提高至22%,而且中国企业所开创的设备技术将持续在全球芯片市场占据份额。
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